青岛镀膜加工的实际工作经验告诉我们,原料充足情况下镀膜厚度与蒸镀时间呈线性关系,这表明高真空情况下蒸镀速率比较均匀。而基片的温度,通常对镀膜厚度影响不大,其原因在于高真空环境下分子间碰撞很小,蒸发分子遇基片表面迅速凝结。因此如MgF2原料的蒸镀基片温度通常保持60℃即可。不同的原料状态可能会对蒸镀过程造成较大的影响。实验研究成果表明:
青岛镀膜加工在蒸镀条件一致的前提下,粉末状的原料状态结构松散,原料内的水与空气较多,实际蒸镀前应充分溶解原料,原料质量损失相对较大,光照度较差;多晶颗粒的原料状态由于生产过程已经除气脱水,结构均匀致密,实际蒸镀前原料质量损失相对较小,光照度较好。实际蒸镀中我们发现,单晶原料蒸镀的薄膜组成形式为大分子团,冷却后形成大颗粒柱状结构,薄膜结构疏松,耐磨性差,而多晶原料薄膜为小分子沉积,更适宜于用作蒸镀原料。
青岛镀膜加工蒸发源与基片间距会对薄膜均匀性等造成一定影响,根据实际镀膜经验,蒸发源与基片间距较小的情况下,薄膜厚度相对更大,均匀性也相对更好。因此在实际镀膜生产中,我们需要考虑如何合理调整蒸发源与基片的间距,确保各区域的基片与蒸发源间距更佳。综上所述,不同方式的蒸镀工艺,不同蒸镀时间,不同原料状态,以及蒸发源与基片间距,都会对蒸镀质量带来一定影响。因此需要在蒸镀过程中选取更为适合的原料和工艺方式。
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